Gaya APA
KARAKTERISASI LAPISAN FILM TIPIS GaAs YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE MOCVD DI ATAS SUBSTRATE Ge (DISETASI). (2013).
Mesir:
[s.n.].
Gaya Chicago
KARAKTERISASI LAPISAN FILM TIPIS GaAs YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE MOCVD DI ATAS SUBSTRATE Ge (DISETASI).
.
Mesir:
[s.n.],
2013.
Text.
Gaya MLA
KARAKTERISASI LAPISAN FILM TIPIS GaAs YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE MOCVD DI ATAS SUBSTRATE Ge (DISETASI).
.
Mesir:
[s.n.],
2013.
Text.
Gaya Turabian
KARAKTERISASI LAPISAN FILM TIPIS GaAs YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE MOCVD DI ATAS SUBSTRATE Ge (DISETASI).
Mesir:
[s.n.],
2013.
Print.